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一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法.pdfVIP

一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法.pdf

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    本发明公开了一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法。该Bi2WO6半导体单晶纳米薄膜的CVD制备方法，包括如下步骤：以WCl6粉末和Bi2O3粉末为原料，氩气和微量氢气的混合气体为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi2WO6半导体单晶薄膜。该方法经济、简单、易行，所得单晶纳米片不仅厚度可控、晶体质量好，且能够调控晶体的平面生长或者便于转移的自支撑直立生长。二维钨酸铋半导体具备宽禁带、铁电、高介电常数、超薄厚度等优异特性，在微电子领域具有重要价值。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117535649A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202311467491.6

    (22)申请日2023.11.07

    (71)申请人南开大学

    地址300

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