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本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种用于二维材料高取向生长的蓝宝石衬底的加工方法，其包括：将C向[0001]单晶蓝宝石衬底安装于倾角加工设备，加工出具有C轴偏A轴方向或C轴偏M轴方向的单晶蓝宝石衬底；将单晶蓝宝石衬底和柔性抛光垫分别安装在抛光设备上，并加入多羟基官能团化合物和去离子水作为抛光液；柔性抛光垫表面设置有带电磨粒；设置抛光设备的载荷及转速，使单晶蓝宝石衬底与柔性抛光垫发生相对摩擦，单晶蓝宝石衬底与抛光液中的多羟基官能团化合物在带电磨粒摩擦诱导下生成硬度较低的摩擦反应层；通过带有回
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117532492A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311542005.2
(22)申请日2023.11.17
(71)申请人华侨大学
地址362000
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