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量子点存储器件及其制备方法、电子设备.pdfVIP

量子点存储器件及其制备方法、电子设备.pdf

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    本发明涉及半导体存储技术领域，公开了一种量子点存储器件及其制备方法、电子设备，该量子点存储器件包括：衬底；层叠设置在衬底上的成核层、应变超晶格层、下电极层、第一p型掺杂层、用于形成二维电子气沟道的中间层、第一势垒层、量子点层、第二势垒层、第二p型掺杂层和上电极层。这样将二维电子气沟道置于量子点层下方可实现载流子的擦除功能，将量子点作为存储器件的存储介质可捕获并限制载流子来实现数据存储，能够稳定读写传输且速度快，能耗较低，并且分离的能级结构可保障器件存储能力的稳定性，个别量子点的载流子逃逸不会影响

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117545283A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202311499407.9

    (22)申请日2023.11.10

    (71)申请人山东云海国创云计算装备产业创新

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