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2024-02-10 发布于四川
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本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体封装结构及其制造方法。公开的半导体封装结构，包括封装结构主体、补充金属互连层和镍钯金镀层；封装结构主体具有连通的第二开口和第三开口，第二开口的口径大于第三开口的口径，第二绝缘介质层设置于第一绝缘介质层远离芯片的一侧，主体金属互连的一部分填充于第二开口内；补充金属互连层和镍钯金镀层相互连接且位于第三开口内。公开的制造方法，包括：在第三开口内形成初级金属层；对初级金属层进行微蚀得到补充金属互连层；在补充金属互连层上进行获得镍钯金镀层的操作。本发明提供的结

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117542817A

(43)申请公布日2024.02.09

(21)申请号202410015791.9

(22)申请日2024.01.05

(71)申请人江苏中科智芯集成

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