GB/T 11094-2020水平法砷化镓单晶及切割片.pdf

ICS29.045

H83GB

中华人民共和国国家标准

GB/T11094-2020

代替GB/T110942007

水平法呻化镣单晶及切割片

Galliumarsenidesinglecrystalandcuttingwafergrownbyhorizontal

bridgmanmethod

2020-09-29发布2021-08-01实施

国家市场监督管理总局申＃

国家标准化管理委员会保叩

GB/T11094-2020

前言

本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草。

本标准代替GB/T11094-2007《水平法呻化嫁单晶及切割片儿与GB/T11094-2007相比，除编

辑性修改外，主要技术变化如-r.

一一删除了范围中的单晶键及微波器件（见2007年版的第1章）;

一一删除了规范性引用文件中的GJB1927，增加了GB/T13388、GB/T14844（见第2章，2007年

版的第2章h

删除了术语和定义中的3.1～3.8（见2007年版的第3章讥

一一修改了产品的牌号表示方法及分类（见第4章，2007年版的第4章）;

一一修改了碑化嫁单晶生长方向中的偏转角度（见5.1.1,2007年版的4.3.1);

一一删除了半绝缘碑化嫁单晶的要求及试验方法（见2007年版的4.3.2、4.4.3、5.1);

一一删除n型非掺杂碑化嫁单晶的要求（见2007年版的4.3.2);

修改了p型掺铮碑化嫁单晶的载流子浓度范围（见5.1.2,2007年版的4.3.2);

修改了位错密度的分级及要求（见5.1.3,2007年版的4.3.3);

一一增加了直径82.0mm碑化嫁切割片及对应碑化嫁单晶的要求（见5.1.4.2、5.2);

一一晶键高度误差不大于4mm改为单晶厚度变化应不大于2mm（见5.1.4.2,2007年版的4.4.l);

一一增加了关于碑化嫁切割片电学性能、位错密度的说明（见5.2.1);

修改了碎化嫁切割片厚度的要求（见5.2.3,2007年版的4.5.1);

修改了碑化鲸切割片晶向偏离的要求〈见5.2.4,2007年版的4.5.2);

修改了碑化嫁单晶及切割片的试验方法（见第6章，2007年版的第5章h

一一修改了碑化嫁单晶及切割片的检验规则相关内容（见第7章，2007年版的第6章）。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分技术委员会CSAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本标准起草单位2有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股

份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、雅波拓（福建）新材料有限公司。

本标准主要起草人2于洪国、林泉、马英俊、赵敬平、李素青、马远飞、李万朋、许所成、权盼、朱j町、

周铁军、同方亮、杨丽霞、付萍。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为＝

一一－GB/T11094-1989、GB/T11094-2007回