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本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种氮化铝单晶模板及其制备方法、电子设备，该制备方法包括：在衬底表面形成氮化铝薄膜；在氮化铝薄膜上形成钝化保护层；将形成有钝化保护层的两块衬底进行对扣；将对扣后的两块衬底进行热退火处理，得到复合结构外延片；刻蚀掉复合结构外延片上的钝化保护层，形成氮化铝单晶模板。上述制备方法对氮化铝表面形成了隔绝氧的致密保护层，可以严格隔绝环境中的氧和含氧杂质，有效保护了氮化铝薄膜，杜绝了氧的掺入和氮化铝表面形貌恶化的发生，从而对退火炉的设计和要求相对更低，简化了快速热退火的炉
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117552098A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311508873.9C30B33/00(2006.01)
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