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本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117555209A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311807633.9
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心
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