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本发明提出了一种异质结太阳能电池的防外延制备方法及异质结太阳能电池，方法包括：以N型硅片作为电池衬底，对N型硅片进行预热处理；在N型硅片预热完成后，通入第一工艺气体，并将N型硅片加热至预设温度，以对N型硅片进行化学气相沉积处理，在N型硅片外侧生成防外延层；对防外延层进行等离子体沉积处理，以在防外延层外侧生成第一本征层和第二本征层，其中，防外延层包括氧化硅层，本申请通过在N型硅片衬底表面形成一层氧化硅层，使得氧化硅层与第一本征层形成双重防外延效果，有效提高抑制外延生长效果，进而解决当前工艺制备的防
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558822A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311432838.3
(22)申请日2023.10.31
(71)申请人广东利元亨智能装备股份有限公司
地
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