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一种自建外电场调制的硅基增强型紫外光电传感器的制备方法.pdfVIP

一种自建外电场调制的硅基增强型紫外光电传感器的制备方法.pdf

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    本发明涉及硅基紫外光电传感器领域，具体涉及一种自建外电场调制的硅基增强型紫外光电传感器的制备方法，其利用Bosch刻蚀和等离子体浸没刻蚀得到微纳米分层结构硅纳米锥，有效消除表面反射；采用低能离子注入形成浅结；采用扩散增强模式的共形原子层沉积技术沉积氧化铝薄膜，高质量沉积的氧化铝薄膜不仅保证了表面的有效钝化，有效抑制光生载流子表面瑕疵点复合，同时引入负电荷富集层，形成自建外电场抑制载流子复合损耗，并对载流子移动进行主动调制，硅纳米锥的俘光能力与氧化铝引入的自建外电场协同增强，对光生电子空穴对进行更

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117558833A

    (43)申请公布日2024.02.13

    (21)申请号202311614864.8

    (22)申请日2023.11.29

    (71)申请人厦门大学

    地址361005

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