一种PVT法碳化硅晶体生长用组合结构热场保温筒.pdfVIP

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2024-02-14 发布于四川
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一种PVT法碳化硅晶体生长用组合结构热场保温筒.pdf

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本发明了一种PVT法碳化硅晶体生长用组合结构热场保温筒，包括软毡筒和硬毡筒，软毡筒包裹硬毡筒，所述软毡筒底部设有保温底垫，上端内部设有中间层上段填充层；所述硬毡筒筒壁高度小于软毡筒，软毡筒高出硬毡筒的部分设有内填充层，硬毡筒底部设有硬毡底托，硬毡底托上设有软毡底托；所述软毡筒顶部覆盖硬毡盖，硬毡盖上设有软毡盖，本申请使用硬质石墨毡（硬毡、固化毡）加工制作硬毡筒，该硬毡筒作为保温筒内衬，使用软质石墨毡（软毡）缠绕在硬毡筒外围形成软毡筒，并且针对晶体生长过程中受气相组分严重侵蚀的区域设计了可更换部件

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117552108A

(43)申请公布日2024.02.13

(21)申请号202311771037.X

(22)申请日2023.12.21

(71)申请人安徽微芯长江半导体材料有限公司

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