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本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种具有超高开关比的HfO2基阻变存储器及其制备方法。本发明提供的阻变存储器依次层叠结构设置的衬底、Pt底电极、HfO2薄膜阻变层，Ag顶电极，其中HfO2薄膜采用原子层沉积工艺制备。通过一系列电学性能测试，此器件展现出优异的阻变性能，具有超高的开关比，平均达到108。同时还拥有较低的工作电压，有望实现低功耗RRAM。进一步的，此器件具有阈值电压选择器的特性，通态与断态电流比(非线性)、高通态电流密度、高耐力循环特性，结合该RRAM正反向均可实现阻变的的双极型
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117560932A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311547892.2C23C16/455(2006.01)
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