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本发明提供了一种采用调和平均技术的半导体器件运行状态仿真方法，所述方法包括，确立描述半导体器件稳态下的基本控制方程组；确定电子、空穴漂移‑扩散方程满足的边界条件；引入矢量性质的辅助未知量，将基本控制方程组内的方程降阶为仅有一阶微分算子的形式；进行网格划分和控制方程组的空间离散化，由仅有一阶微分算子的控制方程组得到弱形式；将公式中的HDG弱形式中的对流项和扩散项的数值积分通过调和平均技术处理；使用牛顿法求解全部待求未知量。本发明提出了一种通过调和平均技术对高精度有限元格式的弱形式进行变换的方法，可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117556769A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202410021707.4
(22)申请日2024.01.05
(71)申请人清华大学
地址100084
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