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一种绝缘体上锗的制造方法、一种半导体器件.pdfVIP

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  • 2024-02-14 发布于四川
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一种绝缘体上锗的制造方法、一种半导体器件.pdf

    本申请提供一种绝缘体上锗的制造方法、一种半导体器件，方法包括：在第一衬底上形成绝缘层，在第二衬底上形成锗层，键合绝缘层和锗层，去除第二衬底。在锗层上形成目标膜层。锗层包括不重合的第一区域和第二区域，和第一区域重叠的目标膜层具有内在压应力，和第二区域重叠的目标膜层具有内在拉应力或目标膜层和第二区域不重叠。对锗层和目标膜层进行高温处理，利用目标膜层诱导第一区域的锗层形成拉应变部分，利用拉应变部分提供较高的电子迁移率，利用目标膜层诱导第二区域的锗层形成压应变部分，利用压应变部分提供较高的空穴迁移率，从

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117558678A

    (43)申请公布日2024.02.13

    (21)申请号202311500865.X

    (22)申请日2023.11.10

    (71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

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