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本发明提供了一种标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法，通过生长两套周期不同的InGaxAs/InAsSby超晶格和两套周期不同的InGaAs/InAsSb/InAs超晶格得到InAs和GaAs的生长速率以及元素组分。其中，上述超晶格材料中的各层材料均处于完全应变状态，无需考虑弛豫度数值，由此能够彻底避免材料弛豫度对标定结果精确程度的影响，使得到的结果准确可靠，相比于现有测试技术来说，本发明具有操作简单、精度高、准确性好等显著优势。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558644A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311771457.8
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人苏州焜原光电有限公司
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