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本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，用于使得隧穿钝化背接触式太阳能电池中，掺杂元素含有磷的N型掺杂多晶硅层具有良好的形貌和满足目标要求的形成范围，利于提升隧穿钝化背接触式太阳能电池的光电转换效率。所述背接触电池包括：半导体基底，以及沿半导体基底的厚度方向，依次层叠设置在半导体基底的背光面的局部区域上的隧穿钝化层和N型掺杂多晶硅层。半导体基底的向光面为绒面。N型掺杂多晶硅层内的掺杂元素包括磷，N型掺杂多晶硅层位于背光面的边缘区域上的部分与N型掺杂多晶硅层位于背光面的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558798A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202310702158.2
(22)申请日2023.06.13
(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
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