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本公开涉及电子器件制造方法。本说明书涉及一种制造器件的方法，所述器件包括其中形成有存储器单元阵列的第一部分和其中形成有晶体管的第二部分，所述方法包括：a形成将同一单元行的衬底区域彼此分隔的第一绝缘沟槽，以及b形成将同一单元列的区域彼此分隔的第二沟槽，所述第二沟槽的高度大于所述第一沟槽的高度，步骤a包括每个第一沟槽的下部和上部的独立形成，上部的形成包括第一绝缘层的沉积，第一绝缘层的不位于上部的部分的蚀刻。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117560928A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202310711790.3H10B43/27(2023.01)
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