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本发明公开一种沟槽刻蚀方法及沟槽型栅器件，涉及半导体的技术领域，其中沟槽刻蚀方法通过改善沟槽型栅极的工艺流程，将沟槽型栅极的形成分为至少三步成型，并在第一沟槽成型后对其进行外扩工艺处理，以使沟槽型栅极的宽度尺寸得以增大，以使在后续离子注入器件的过程中，能够为离子注入提供更大的空间范围，让器件在投入使用后，其开启电压和开启电流均能够得到改善，也使得器件的开关功率以及工作状态的功耗能够有效降低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558622A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202410038841.5
(22)申请日2024.01.11
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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