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一种非易失性存储器的编程方法，包括以下步骤：从已擦除的存储单元中依次选中目标存储单元，对选中的所述目标存储单元所连接的字线施加第一电压作为编程控制电压的初始值，对未选中的字线施加零电压；对所述目标存储单元所连接的位线施加作为固定值的第二电压；读取所述目标存储单元所连接的位线上的电流值；将所述电流值与规定的阈值进行比较；在所述电流值大于所述阈值时，将小于所述第一电压的第三电压作为所述编程控制电压的初始值；以及使所述编程控制电压自所述初始值起开始逐渐增大，在增大后的所述编程控制电压下执行编程操作，直
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558322A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311533307.3
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人东芯半导体股份有限公司
地址2
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