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RCD吸收电路

一、缓冲电路

开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的，但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升

的电压有重叠时间，所以会有较大的关断损耗。为了使IGBT关断过程电压能够得到有效的抑

制并减小关断损耗，通常都需要给IGBT主电路设置关断缓冲电路。通常情况下,在设计关于

IGBT的缓冲电路时要综合考虑从IGBT应用的主电路结构、器件容量以及要满足主电路各种技

术指标所要求的IGBT开通特性、关断特性等因素。

选用RCD缓冲电路，结构如图4-5所示。

对缓冲电路的要求：尽量减小主电路的电感；电容应采用低感吸收电容；二极管应选用快

开通和快速恢复二极管，以免产生开通过电压和反向恢复引起较大的振荡过电压。

（1）缓冲电容的计算

C=I／V(t+t)=50／84×0.85=0.51uF

scecerf

（2）缓冲电阻的计算

R=t／3C=0.5×50us／(3×0.283uF)=29.4Ω

sons

（3）缓冲二极管的选择

选用快速恢复二极管ERA34-10，参数为0.1A/1000V/0.15us

二、继电器RC加吸收单元起到什么作用

接触器和