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本实用新型公开一种基于树脂基的高功率芯片的扇出封装结构，属于集成电路封装领域，包括高功率芯片、增材层、塑封材料、介质层、导电通孔、再布线层、钝化层、凸点；增材层设置于高功率芯片的背面，塑封材料完全将高功率芯片和增材层包覆起来形成树脂基底；介质层覆盖在树脂基底的正表面，并通过图形化技术在介质层上设置有导电通孔和再布线层，再布线层通过导电通孔实现芯片有源面信号端的引出；钝化层覆盖在再布线层的表面，并采用图形化技术做出开口，凸点采用电镀或植球的方法制作于开口处。本实用新型结构合理巧妙，在高功率芯片背面
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220491873U
(45)授权公告日2024.02.13
(21)申请号202321930874.8
(22)申请日2023.07.21
(73)专利权人中国电子科技集
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