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本发明公开了一种石英晶片的抛光方法，涉及石英晶片技术领域，本发明包括：步骤一、石英晶片历史信息获取、步骤二、石英晶片抛光质量分析、步骤三、目标石英晶片抛光方法选择、步骤四、目标石英晶片抛光、步骤五、目标石英晶片抛光质量分析和步骤六、目标石英晶片处理，本发明克服了现有技术中对石英晶片的平整性和外观缺陷的分析力度不够深入的缺陷，从而提高了石英晶片的质量分析的精确性，保障了目标石英晶片的抛光方法选择的参考性和价值性，确保后续石英晶片相关器件的性能和可靠性，本发明保障了目标石英晶片抛光方法选择的正确性，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117549205A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202410041650.4
(22)申请日2024.01.11
(71)申请人东晶电子金华有限
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