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碳化硅外延材料生长温度场模拟和表征技术研究的中期报告

摘要：

本文利用数值模拟方法对碳化硅外延生长的温度场进行了研究，并针对模拟结果进行了实验验证。通过温度场的模拟和表征，我们确定了碳化硅外延材料生长的最佳温度条件。

首先，我们建立了碳化硅外延生长的三维有限元模型，并在此基础上进行了温度场的模拟。通过对模型参数的分析，我们确定了影响温度分布的主要参数，分别是加热器功率、晶圆直径、晶圆厚度以及反应室和加热器间的间隙。

接着，我们将模拟得到的温度场和实验结果进行了对比。实验中，我们采用热电偶测量了晶圆表面的温度，并对测量结果进行了统计处理。通过对比模拟结果和实验结果，我们发现两者基本吻合，这表明我们所建立的模型能够准确地描述碳化硅外延生长的温度场。

最后，我们利用所建立的模型，研究了不同温度条件下的碳化硅外延生长过程。通过分析模拟结果，我们得出了碳化硅生长的最佳温度条件：在加热器功率为1.2kW，晶圆直径为2英寸，晶圆厚度为250μm，反应室和加热器间隙为2cm的条件下，生长温度应设置在1830℃左右。

关键词：碳化硅外延；温度场模拟；实验验证；最佳温度条件。

Abstract：

Inthispaper,wehavestudiedthetemperaturefieldofsiliconcarbideepitaxialgrowthusingnumericalsimulationmethods,andverifiedthesimulationresultsexperimentally.Throughthesimulationandcharacterizationofthetemperaturefield,wedeterminedtheoptimaltemperatureconditionsforthegrowthofsiliconcarbideepitaxialmaterials.

Firstly,weestablishedathree-dimensionalfiniteelementmodelforsiliconcarbideepitaxialgrowth,andthensimulatedthetemperaturefieldbasedonit.Byanalyzingthemodelparameters,wedeterminedthemainparametersthataffectthetemperaturedistribution,whichareheaterpower,waferdiameter,waferthickness,andthegapbetweenthereactionchamberandtheheater.

Next,wecomparedthesimulatedtemperaturefieldwithexperimentalresults.Intheexperiment,weusedathermocoupletomeasurethetemperatureonthesurfaceofthewafer,andthemeasurementresultswerestatisticallyprocessed.Bycomparingthesimulationresultsandtheexperimentalresults,wefoundthatthetwowerebasicallyconsistent,whichindicatesthatthemodelweestablishedcanaccuratelydescribethetemperaturefieldofsiliconcarbideepitaxialgrowth.

Finally,weusedtheestablishedmodeltostudythegrowthprocessofsiliconcarbideepitaxialunderdifferenttemperatureconditions.Throughtheanalysisofthesimulationresults,weobtainedtheoptimaltemperatureconditionsforsiliconcarbidegrowth,whichshouldbesetataround1