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模拟电子技术基础常用半导体器件
1半导体基础
目2半导体二极管
u晶体管的结构和符号
录u晶体管的电流放大作用
u晶体管的电流放大作用
3晶体三极管
u晶体管的伏安特性及参数
u晶体管的等效电路
4场效应管
晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用
一、放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看：NPNPNP
C
发射结正偏:VVVV
BEBE
集电结反偏:VVVV
CBCBNRC
①无论NPN、PNP型，B极电位都居中；BP
②UBE0.7V(Si)或0.3V(Ge)；N
③NPN管，C极电位最高；RBEEC
PNP管，C极电位最低。EB
晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用
二、三极管内部载流子的运动过程
(1)“多子”在发射区与基区之间的扩散与复合——形成基极电流和不平衡载流子。
(2)“少子”在基区与集电区之间的漂移与复合——形成集电极电流。
IC
CC
R
c
IBB
B
RbRbVCC
VBBVBB
EE
晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用
三、三极管的电流分配关系III
BC
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