(8.1.6)--Chapter 7模拟电子技术基础.pptVIP

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2024-02-26 发布于陕西
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Chapter7

FETBiasingShandongUniversityofTechnology

IntroductionFixed-BiasConfigurationDepletion-TypeMOSFETsEnhancement-TypeMOSFETsOutline

7.1IntroductionAssumingdeviceoperatesinsaturationthusiDsatisfieswithiD~vGSequation.Accordingtobiasingmethod,writevoltageloopequation.Combiningabovetwoequationsandsolvetheseequations.UsuallywecangettwovalueofvGS,onlytheoneoftwohasphysicalmeaning.CheckingthevalueofvDSifvDS≥vGS-Vt,theassumingiscorrect.ifvDS≤vGS-Vt,theassumingisnotcorrect.Weshallusetrioderegionequationtosolvetheproblemagain.

MOSFETCircuitatDCTheNMOStransistorisoperatinginthesaturationregiondueto

MOSFETCircuitatDCAssumingtheMOSFEToperateinthesaturationregionCheckingthevalidityoftheassumptionIfnottobevalid,solvetheproblemagainfortrioderegion

TheMOSFETAsanAmplifierBasicstructureofthecommon-sourceamplifier.Graphicalconstructiontodeterminethetransfercharacteristicoftheamplifierin(a).

TheMOSFETAsanAmplifierandasaSwitchTransfercharacteristicshowingoperationasanamplifierbiasedatpointQ.Threesegments:XA---thecutoffregionsegmentAQB---thesaturationregionsegmentBC---thetrioderegionsegment

7.2Fixed-BiasConfigurationVoltagebiasingschemeBiasingbyfixingvoltageBiasingwithfeedbackresistorCurrent-sourcebiasingscheme

BiasinginMOSAmplifierCircuitsTheuseoffixedbias(constantVGS)canresultinalargevariabilityinthevalueofID.Devices1and2representextremesamongunitsofthesametype.CurrentbecomestemperaturedependentUnsuitablebiasingmethod

BiasinginMOSAmplifierCircuitsBiasingusingafixedvoltageatthegate,andaresistanceinthesourcelead(a)basicarrangement;(b)reducedvariabilityinID;(c)practicalimplementationusingasinglesupply;

BiasinginMOSAmplifierCircuits(d)couplingofasignalsourcetothegateusingacapacitorCC1;(e)practicalimplementationusingtwo

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