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HEMT外延片及其制备方法、HEMT.pdfVIP

HEMT外延片及其制备方法、HEMT.pdf

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    本发明公开了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT，所述HEMT外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和盖帽层；所述成核层包括依次层叠的BN层和AlN层；所述缓冲层包括依次层叠的碳掺杂YAlGaN层、碳掺杂GaN层、Si3N4层和非掺杂GaN层；所述碳掺杂YAlGaN层的掺杂浓度大于所述碳掺杂GaN层的掺杂浓度。本发明可以提高外延层的生长质量，从而提升HEMT器件的性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117577664A

    (43)申请公布日2024.02.20

    (21)申请号202311549020.XH01L21/02(2006.01)

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