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- 2024-02-21 发布于四川
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本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括第一p型外延部件、第二p型外延部件、层间介电层、第一接触件及第二接触件。第一p型外延部件设置于第一鳍片之上。第二p型外延部件设置于第二鳍片及第三鳍片之上，并跨越第二鳍片及第三鳍片。层间介电层在第一p型外延部件及第二p型外延部件之上。第一接触件延伸穿过层间介电层以电性耦合第一p型外延部件。第二接触件延伸穿过层间介电层以电性耦合第二p型外延部件。其中第一接触件的底表面低于第二接触件的底表面。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220510030U
(45)授权公告日2024.02.20
(21)申请号202321399696.0
(22)申请日2023.06.02
(30)优先权数据
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