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本发明涉及绝缘栅双极晶体管技术领域，具体涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管，包括第一半导体层、第二半导体层、电荷蓄积层、栅极、发射层、发射极、场截止层、集电层、集电极、第一势垒层、第二势垒层、第一阴极层和第二阴极层；第二势垒层与第一势垒层的相邻侧之间留有第二预设间距，以形成电子流动通道；第二阴极层与第一阴极层的相邻侧之间留有第三预设间距，且第三预设间距大于第二预设间距；在电子竖向移动过程中，增加了横渡的过程，延长了电子移动路径，进而增加电阻，产生电压降低，可以轻松调制电导率，进而能够改善电压折回现象
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577669A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311525708.4
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人浙江旺荣半导体有限公司
地址3
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