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本发明属于晶体平板制备技术领域，具体涉及一种片上高品质因子硫系光子晶体平板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.在硅基衬底上热蒸镀硫系薄膜，且由上至下依次为硫系薄膜层、二氧化硅下包层、硅衬底构成硫系薄膜样品；S2.在上述硫系薄膜样品的上表面旋涂光刻胶；通过干法刻蚀、物理去胶和水浴溶胶后，进一步热退火实现高品质因子光子晶体面板制备。基于硫系材料具有的非易失性光致折变特性，通过带隙光照射制备的硫系光子晶体面板，可以实现对面板内谐振光的动态调控；本发明能够在简化器件结构的同时可获得具有超高Q值的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117568746A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311541197.5G03F7/20(2006.01)
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