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本发明涉及一种IGBT单管芯片并联焊接水道结构及其焊接方法，包括水道，包括至少一个焊接面，水道在焊接面外侧开设有环绕焊接面的凹槽，焊接面顶部设置有凸点；焊片，设置在凸点上；IGBT单管芯片，设置在焊片上，通过激光进行焊接；其中，凹槽内灌装有液态环氧树脂，用于起到绝缘作用所述凹槽的深度和宽度均为2mm，所述凸点的高度为0.1mm，所述焊片的熔点为260℃，所述焊接面上设置有多个焊接位，每个焊接位上设置有多个凸点，一个焊接位上设置有四个凸点。本发明采用激光焊接通过焊片把IGBT焊接在水道上，且在焊接
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577604A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311660221.7
(22)申请日2023.12.05
(71)申请人江苏索力德普半导
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