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本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种半导体芯片腔面ZrAlO膜系加工的工艺方法；该工艺方法包括如下步骤：对待镀膜的产品进行Bar条解理和夹条，并快速放入蒸发镀膜设备中抽真空，将产品在真空室内进行烘烤，对烘烤后的产品的腔面进行离子源预清洗处理，镀上ZrAlO/SiO2膜系增透膜，然后对产品的背光面进行离子源预清洗处理，对产品的背光面进行多层高反膜系镀膜；其中，在ZrO2制作过程中掺入5～8％Al制备ZrAlO。本发明中ZrAlO膜层结构具有稳定的四方相结构，在不同膜厚、不同温度下具有稳定的折射
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114231896A
(43)申请公布日2022.03.25
(21)申请号202111546353.8H01S5/028(2006.01)
(22)申请日2
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