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- 2024-02-21 发布于四川
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本发明涉及一种电子封装Cu‑Sip复合材料的制备方法,主要步骤为:S1:Si粉的表面预处理;S2:溶胶—凝胶涂覆Si颗粒;S3:Si粉氢气还原;S4:重复镀覆;S4:Cu‑Si粉末混合;S5:制备Cu‑Sip复合材料。Cu‑Sip复合材料作为一种新型电子封装材料,具有高导热、高导电、低膨胀等特点,但其制备技术仍存在较大难度,原因在于高温下Cu和Si会发生激烈的界面反应而生成Cu3Si、Cu5Si等脆性相,极大地削弱了材料的力学和热物理性能。本发明使用溶胶凝胶法在Si颗粒表面镀上一层金属W膜,在此
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117564267A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311422637.5C23C18/12(2006.01)
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