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本发明公开了一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga2O3薄膜的制备方法，属于半导体薄膜材料领域。该Ga2O3薄膜的制备方法是以Ga(NO3)3·xH2O和乙二醇(CH2OH)2为原料，将Ga(NO3)3·xH2O溶解于(CH2OH)2中，形成无色透明溶液。该溶液经过旋涂涂覆于选定基底上，并在大气环境中经过退火处理，从而得到目标Ga2O3薄膜。本方法不仅经济高效且操作简便，而且能够精确地控制薄膜厚度至最薄3nm。更为引人注目的是，该合成方法产生的Ga2O3薄膜在厘米级别的基底上展示出高度均匀和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577538A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311482285.2
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人南开大学
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