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一种EG-ISFET的3D模型的搭建方法.pdfVIP

一种EG-ISFET的3D模型的搭建方法.pdf

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    本发明公开了一种EG‑ISFET的3D模型的搭建方法，包括以下步骤：获取待仿真EG‑ISFET器件的结构参数；根据EG‑ISFET器件的结构参数构建网格化EG‑ISFET的3D仿真模型；根据电解液的物化特性，通过TCAD仿真软件建立pH缓冲液模型、定义新材料；对EG‑ISFET的3D仿真模型设置掺杂、接触类型、界面状态、物理模型和pH缓冲液/绝缘体界面位点结合模型等；设置电压参数获得输出特性、转移特性曲线和pH特性曲线，并对仿真结果进行分析。基于该方法，提供了验证EG‑ISFET中扩展栅部分感应

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117574830A

    (43)申请公布日2024.02.20

    (21)申请号202311251466.4

    (22)申请日2023.09.26

    (71)申请人南京工业大学

    地址211899

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