原创力文档- 23
- 0
- 约9.85千字
- 约 8页
- 2024-02-21 发布于四川
- 举报
本发明涉及材料表面改性技术领域，具体来说，涉及一种利用高功率脉冲磁控溅射技术制备Ti掺杂的ta‑C涂层的方法。所述方法在制备ta‑C涂层时，掺杂Ti，调节Ti靶功率在0.15‑0.6kw。本发明采用高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)制备ta‑C涂层，并在此基础上，同时加入碳靶和钛靶进行ta‑C涂层的制备，通过Ti的掺杂，在涂层表面形成掺Ti的ta‑C涂层，兼具TiC和ta‑C单层涂层的优点，降低其内应力的同时进一步提升了硬度，兼具有硬度高、应力低、耐腐蚀、耐磨等特点。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117568763A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202311531204.3C23C14/54(2006.01)
(22)申请日2023.11.
文档评论（0）