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离子束溅射致硅纳米点的电学性质研究的中期报告
本文是对离子束溅射致硅纳米点的电学性质研究的中期报告，具体内容如下：
1.研究目的
本研究旨在通过离子束溅射技术制备硅纳米点，并基于硅纳米点特有的电学性质，探究其在电子器件中的应用潜力。具体的研究内容包括制备条件的优化、电学性质的表征，以及器件性能的测试等方面。
2.研究方法
本文采用离子束溅射技术制备硅纳米点，并通过原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射分析（XRD）等手段对其表征。另外，我们还使用准静态测试系统（Keithley2400）和自制的I-V测试仪进行器件性能测试。同时，我们还尝试通过改变制备条件，如溅射时间、离子束能量等，来探究硅纳米点的电学性质及其制备规律。
3.研究进展
目前，我们已经成功地制备出一批硅纳米点，并对其进行了基本的表征。AFM和TEM结果表明，硅纳米点的平均直径约为4~6nm，且大小分布比较均匀。XRD结果显示，硅纳米点呈现出特有的晶格畸变和峰宽增大现象，这与其尺寸效应相关。进一步的电学测试表明，硅纳米点在低温下表现出明显的电荷输运效应，其I-V曲线呈现出非线性、对称的特点，这表明硅纳米点具有良好的电子输运性质。考虑到硅纳米点在较高温度下容易失去电荷传输效应，我们还尝试了在不同温度下测试硅纳米点的I-V曲线，并找到其关键温度点。
4.展望
在未来的研究中，我们将继续深入探究硅纳米点的电学性质及其制备规律，并尝试将其应用于电子器件中。我们计划通过调节硅纳米点的大小、形状、组合方式等参数，来实现不同光电性质的硅纳米点电子器件的设计与制备。同时，我们还将探究硅纳米点与其他纳米材料（如碳纳米管、二维材料等）的协同作用，以期获得更好的电子性能和应用效果。
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