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自对准通道金属氧化物半导体（MOS）器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-02-24 发布于四川
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自对准通道金属氧化物半导体（MOS）器件及其制造方法.pdf

    本发明涉及一种金属氧化物半导体(Metal‑Oxide‑Semiconductor，MOS)器件，包括：控制电极；第一半导体掺杂类型或第二半导体掺杂类型的电流输出电极；所述第一半导体掺杂类型的缓冲层和所述第一半导体掺杂类型的漂移层；嵌入在所述漂移层中的所述第二半导体掺杂类型的本体区域，其中，所述本体区域用于在所述漂移层中形成结型场效应晶体管(JunctionFieldEffectTransistor，JFET)区域；电流输入电极，包括嵌入在所述本体区域中的所述第一半导体掺杂类型的第一区域和

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117597786A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202180099293.1H01L29/08(2006.01)

    (22)申请日2021.09.

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