氮化镓晶体管及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-02-24 发布于四川
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本申请公开了一种氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管包括:衬底;氮化镓层,位于所述衬底上;势垒层,位于所述氮化镓层上;至少一个第二复合叠层,位于所述势垒层上;以及栅极电极、源极电极与漏极电极,位于所述势垒层上,并且所述栅极电极位于所述源极电极和所述漏极电极之间,其中,所述至少一个第二复合叠层包括堆叠的第二掺杂层和第二插入层,所述漏极电极的第一部分与至少一个所述第二掺杂层接触,所述漏极电极的第二部分与所述势垒层接触。该氮化镓晶体管中的第二复合叠层使氮化镓层处于导通状态,并在截止状态有效注入空穴

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108878509A

(43)申请公布日

2018.11.23

(21)申请号20181

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