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2024-02-24 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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一种半导体装置，包括：衬底，其包括NMOSFET区和PMOSFET区；分别位于NMOSFET区和PMOSFET区上的第一沟道图案和第二沟道图案，其各自包括彼此间隔开并且竖直地堆叠的相应的半导体图案；位于NMOSFET区和PMOSFET区上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；以及栅电极，其位于第一沟道图案和第二沟道图案上。栅电极包括在第一沟道图案的相邻半导体图案之间的第一内电极和在第二沟道图案的相邻半导体图案之间的第二内电极。第一内电极的顶表面比第二内

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594600A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202310550260.5

(22)申请日2023.05.16

(30)优先权数据

10-2022-0099142

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