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形成于半导体衬底中的晶体管设置有冷却沟槽。所述冷却沟槽是细长的并且沿平行于所述半导体衬底的顶表面的第一方向从安置于所述晶体管的沟道区上方的细长栅极电极的第一末端横向延伸到所述栅极电极的第二末端。所述冷却沟槽耦合到所述第一电流端并且沿着所述第一方向从所述第一细长冷却沟槽的第一末端横向延伸到第二末端并且从所述第一电流端竖直穿过所述顶表面延伸到所述半导体衬底中。所述冷却沟槽整个被导热材料填充，所述导热材料被配置成将来自所述沟道区的热量消散到所述半导体衬底中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594539A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310998456.0(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任
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