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基于双扭结拓扑能谷边界态的声波束调控器及其制备和调控方法.pdfVIP

基于双扭结拓扑能谷边界态的声波束调控器及其制备和调控方法.pdf

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    本发明公开一种基于双扭结拓扑能谷边界态的声波束调控器，包括顶层、底层和中间层，所述中间层包括声学原胞阵列取反的结构；所述声学原胞阵列包括若干在x方向和y方向上周期性排列的具有S‑石墨烯晶体结构的声学原胞，所述声学原胞在x方向或y方向上具有不对称性；所述中间层还被构造为：仅在x方向与空气联通，在y方向上布置有bearded边界以及zigzag边界。进一步本发明还提供一种上述声波束调控器的制备和调控方法。本发明可在不同边界处实现具有不同形貌的双扭结拓扑能谷边界态，并且，在边界上以一频率激发，通过调节

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117594032A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202311552812.2

    (22)申请日2023.11.21

    (71)申请人南京大学

    地址210023

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