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本发明公开了一种HVPE外延氮化铝厚膜的生长方法，属于半导体技术领域。该方法采用特定结构的石英舟盛放金属铝，进入石英舟的反应气体可以与金属铝源充分接触，将氯化氢与金属铝的反应比例提高到80％以上。设计多路分隔的喷嘴结构，将金属源和氨气物理上分隔开来，降低其预反应的可能性，配合交替间断的生长方法，短时间内交替通入III族源和V族气体，使其即不会互相提前接触，又可以互相均匀到达高温区衬底表面，并在衬底表面均匀混合，提高生长均匀性和生长速率。同时减少预反应颗粒等产物，避免其落到衬底表面形成缺陷，提高表
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117587504A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311554150.2
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人北京大学
地址100871
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