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本发明提供了一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法。本发明的绝缘体上硅晶圆的制备方法，包括如下步骤：S1：向硅晶圆中注氢，形成注氢硅晶圆；S2：在另一硅晶圆上生长SiO2作为BOX，随后将注氢硅晶圆翻转与BOX键合；S3：键合后采用研磨法进行剥离以去除部分注氢硅晶圆，制得绝缘体上硅晶圆。本发明的绝缘体上硅晶圆具有更低的背栅漏电能力。本发明的制备方法具有精确控制硅层厚度等特点，有利于制备较薄硅层的绝缘体上硅晶圆。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594523A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311800645.9
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人中国科学院微电子研究所
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