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本公开涉及半导体装置和形成具有双侧集成无源装置的封装的方法。半导体装置具有：半导体管芯；基底；和多个第一导电支柱，被形成在半导体管芯或基底上。替代地，第一导电支柱被形成在半导体管芯和基底上。电气部件被安放在半导体管芯上。电气部件能够是双侧IPD。半导体管芯和电气部件被安放在基底上。屏蔽框架被安放在半导体管芯上。多个第二导电支柱被形成在电气部件的第一表面上。多个第三导电支柱被形成在与电气部件的第一表面相对的电气部件的第二表面上。凸块帽能够被形成在导电支柱的远端上。基底具有腔，并且电气部件被安放在腔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594573A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310790322.X
(22)申请日2023.06.27
(30)优先权数据
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