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一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法.pdfVIP

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  • 2024-02-24 发布于四川
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一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法.pdf

    本发明公开一种GaNHEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法，基于区域划分模型的GaNHEMT高低温模型，建立了考虑高低温效应的物理基噪声模型。该模型通过高低温夹断电压模型参数、迁移率模型参数、高低温电流模型参数、其余关键参数的高低温模型参数提取组合，以及采取的高低温噪声特性专门计算方法。对比目前已有的噪声建模及参数提取技术，该噪声模型没有拟合参数，大大简化了噪声参数提取流程；且可应用于不同环境温度下，均具有较高精度，可以为复杂工作环境下的低噪声放大器电路设计，及器件优化提供更加精确灵活的指

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117592413A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202311581479.8

    (22)申请日2023.11.24

    (71)申请人电子科技大学长三角研究院（湖州）

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