一种高功率密度集成电路模块封装方法及其封装结构.pdfVIP

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2024-02-24 发布于四川
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一种高功率密度集成电路模块封装方法及其封装结构.pdf

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一种高功率密度集成电路模块封装方法及其封装结构，属于微电子器件封装技术领域。在陶瓷封装外壳的内腔组装区域，将芯片组装区域设置热沉区和功能区，热沉区和功能区设置为平底凹坑，根据电路中芯片功率的大小分级，采用2级及以上台阶式结构，按芯片功率从大到小，从深平底凹坑到浅平底凹坑进行分布，热沉区低于功能区，大功率的功率型芯片组装在热沉区，小功率的功能型芯片组装在功能区，在热沉区或功能区下方设置贯穿陶瓷底座本体的金属通孔，进行最短路径散热和最短路径内外电连接。解决了现大功率器件（组件或模块）功率密度低、集成

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594540A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202311762882.0H01L25/16(2023.01)

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