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本申请提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含具有一第一表面的一基底，以及设置在该基底的该第一表面上的多个层。该多个层包含设置在该基底的该第一表面上的一第一氮化物层、设置在该第一氮化物层上的一第一含硅层、设置在该第一含硅层上的一中间氮化物层、设置在该中间氮化物层上的一第二含硅层，以及设置在该第二含硅层上的一第二氮化物层。此外，该半导体结构包含穿过该多个层并接触该基底的一沟槽电容。该沟槽电容具有一第一部分和一第二部分，该第一部分具有一第一侧表面，该第二部分具有一第二侧表面，且该第一侧表面具
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117596862A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202310422808.8
(22)申请日2023.04.19
(30)优先权数据
17/888,7492022
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