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本发明公开了一种具有声子散射辅助泵浦层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与有源层之间以及上波导层与有源层之间具有声子散射辅助泵浦层；所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，阱层为InGaN、InN、AlInN、GaN中的任意一种或任意几种组合，垒层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN中的任意一种或任意几种组合。本发明降低量子缺陷相关泵浦光与振荡光之间光子能量差引起的斯托克斯频移损耗和量子效率损耗，提升激光
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117595073A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311525591.X
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人安徽格恩半导体有限公司
地址2
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