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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    本公开的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括其中形成有MISFET的单元区域和在平面图中围绕单元区域的外围区域。在单元区域和外围区域中，n型杂质区域形成在半导体衬底中。在半导体衬底中，元件隔离部分、p型杂质区域和n型杂质区域形成在外围区域中以在平面图中围绕单元区域。p型杂质区域和n型杂质区域形成在单元区域中的半导体衬底中以接触杂质区域。元件隔离部分位于杂质区域中，并且与在杂质区域与杂质区域之间的结界面间隔开。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117594598A

    (43)申请公布日2024.02.23

    (21)申请号202310902594.4

    (22)申请日2023.07.21

    (30)优先权数据

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