一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法.pdfVIP

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2024-02-24 发布于四川
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一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的显微结构，其中：TiB2的体积含量为5–20％，TiB2与SiC的摩尔比为2:3。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和单质Si粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷。本发明构筑了TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，SiC的引入有效地抑制了T

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117586014A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202311537472.6

(22)申请日2023.11.17

(71)申请人安徽工业大学

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