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半导体存储器器件包括：存储器单元阵列，其位于第一层中，并且包括字线、单元位线和位于字线和单元位线交叉的区域中的存储器单元；以及位于不同于第一层的第二层中的至少一个位线感测放大器。位线感测放大器连接到与单元位线连接的位线以及连接到与位线相对应的互补位线。位线感测放大器检测存储在至少一个存储器单元中的数据。至少一个单元位线中的每一个被分割为两个或更多个部分，并且该两个或更多个部分别连接到与位线感测放大器连接的位线和互补位线。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594078A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311019119.9
(22)申请日2023.08.11
(30)优先权数据
10-2022-0102061
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